半導(dǎo)體工業(yè)中的等離子體與稀薄氣體工藝仿真
Plasma and rarefied gas process simulation in the semiconductor industry
等離子體工藝在半導(dǎo)體制造中極為普遍。芯片制造過程由數(shù)百個工藝步驟組成,其中很多工藝都要利用等離子體。例如等離子體蝕刻、磁控濺射鍍膜、物理氣相沉積(PVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD)、等離子體灰化、真空蒸鍍等。
外邊界接地,模型尺寸150mm×200mm,仿真使用PHM模塊,采用二維軸對稱模型。
利用第一步運算結(jié)果的密度分布,電場變化以及模型文件;仿真使用IMCSM模塊,采用二維軸對稱模型。
SF5+角度分布 SF5+能量分布
導(dǎo)入第二步結(jié)果參數(shù)(角度分布和能量分布)到刻蝕仿真模塊中,模型尺寸3μm×7μm。
案例2 Flare刻蝕
FPSM2D用于研究不同刻蝕氣體組分對硅表面刻蝕的影響,并給出形貌演化。
對于磁控濺射的仿真,可以分為四個步驟:1) 建立背景磁場;2) 在背景磁場作用下,通過氣體放電,獲得到達(dá)靶材壁面的離子流量;3) 具有一定能量的離子轟擊到靶材,濺射靶材原子;4) 濺射出來的靶材原子沉積到基片,形成鍍膜。
磁場計算→放電計算→靶材濺射計算→靶材粒子輸運計算
本例是做磁控濺射三維放電模擬。其中靜磁場、等離子體放電分別采用MSSM3D、PIC-MCCM3D模塊。
等離子放電仿真:
電子密度分布XY方向切片圖 電子密度ZX面切片圖
電位分布XY方向切片圖 電位分布ZX面切片圖
離子密度分布(XY方向) 離子密度分布(XZ方向)
濺射Al原子XY面密度分布 濺射Al原子ZX面密度分布,靠近基板
真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下,用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之汽化,蒸發(fā)粒子流直接射向基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術(shù)。RGS3D模塊利用直接蒙特卡洛方法模擬氣體分子的碰撞和輸運過程,可以計算三維任意形狀的稀薄氣體流動,既可以處理結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格也可以處理四面體非結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格模型,支持模型中有運動的部件、蒸發(fā)源、進(jìn)氣出氣端口等特征??梢暂敵鲋行粤W用芏?、溫度、流速、能量分布等參數(shù),可以統(tǒng)計粒子的壓強(qiáng)、平均自由程、流場分布等參數(shù)。
多源共蒸發(fā)仿真,用于薄膜工藝仿真,包括真空腔內(nèi)稀薄氣體仿真、熱仿真和面板壁面的沉積仿真。
基板壁面沉積仿真如下圖:
被吸附的粒子的能量和角度分布分別為10eV和cos的四次方;三種入流粒子;每種粒子的模擬數(shù)量為5兆。
入射角度分布 形狀分布(T=200s)
利用FPSM3D模塊對工件表面進(jìn)行的物理氣相沉積過程進(jìn)行仿真。給出沉積薄膜的形貌、厚度等特征,從微觀角度了解沉積過程。
噴頭結(jié)構(gòu)CVD裝置中稀薄氣體流動仿真
噴嘴與腔體
壓強(qiáng)
密度
服務(wù)熱線